VLSI 製造技術, 6/e
目錄大綱
第 1 章 導 論
第一篇 元件物理
第 2 章 半導體材料
第 3 章 元 件
第 4 章 應用元件
第二篇 單元製程
第 5 章 薄膜沉積 I ── 物理氣相沉積
第 6 章 薄膜沉積 II ── 化學氣相沉積
第 7 章 微 影
第 8 章 蝕 刻
第 9 章 摻 雜
第10章 氧化與熱處理
第11章 先進單元製程 ── CMP
第三篇 製程整合
第12章 MOS 製程
第13章 隔離製程
第14章 多重內連線製程 I ── 平坦化
第15章 多重內連線製程 II ── 金屬化
第16章 先進整合技術 I ── 電晶體
第17章 先進整合技術 II ──多重內連線
第四篇 製程設備
第18章 氣體輸送系統
第19章 真空系統
第20章 設備整合
附錄 A 電 漿
附錄 B DRAM
附錄 C Schrodinger 方程式與自由電子模型
附錄 D C-V 量測
附錄 E 半導體製程材料的安全性數據 (MSDS)
附錄 F 主要常數及矽和二氧化矽的物化特性
